產(chǎn)品中心 / products

您的位置：網(wǎng)站首頁 > 產(chǎn)品中心 > 新能源材料研發(fā) > 光焱量子效率測(cè)量系統(tǒng) > SG-O光炎量子效率分析儀光傳感器晶圓測(cè)試儀

產(chǎn)品中心

product center

相關(guān)文章

光炎量子效率分析儀光傳感器晶圓測(cè)試儀

簡要描述：SG-O光炎量子效率分析儀光傳感器晶圓測(cè)試儀是一款CIS/ALS/Light-Sensor晶圓測(cè)試儀，它結(jié)合了高度均勻的光源和半自動(dòng)晶圓探測(cè)器。

產(chǎn)品型號(hào)： SG-O

所屬分類：光焱量子效率測(cè)量系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-10-10

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

留言詢價(jià)聯(lián)系我們

詳情介紹

品牌	其他品牌	應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子

提供您在CIS/ALS/光傳感器晶圓級(jí)測(cè)試中所需的一切。

SG-O光炎量子效率分析儀光傳感器晶圓測(cè)試儀是一款CIS/ALS/Light-Sensor晶圓測(cè)試儀，它結(jié)合了高度均勻的光源和半自動(dòng)晶圓探測(cè)器。高度均勻光源可以提供從400nm到1700nm的連續(xù)白光光譜，以及在許多不同波長下具有一定FWHM的單色光輸出。探測(cè)器可以處理大。200mm晶圓尺寸和尺寸大于1cmx1cm的單芯片。SG-O集成了超低噪音熱卡盤，可提供 -60°C至180°C的溫度范圍，具有快速的升溫速度和穩(wěn)定性。SG-O提供您在CIS/ALS/光傳感器設(shè)計(jì)驗(yàn)證或工藝良率檢查中所需的一切。

SG-O光炎量子效率分析儀光傳感器晶圓測(cè)試儀特點(diǎn)：

●高度均勻的光源

從 UV 到 SWIR 的寬光譜范圍

超過50mmx50mm區(qū)域的高度均勻性超過98%

超穩(wěn)定光強(qiáng)度，可維持不穩(wěn)定性<0.2%長達(dá)10小時(shí)以上

高光強(qiáng)動(dòng)態(tài)范圍，高達(dá)140dB

●可編程自動(dòng)探測(cè)器

200mm~10mm晶圓或芯片處理能力

用于準(zhǔn)確可靠的DC / CV、RF測(cè)量

穩(wěn)定的功能顯微鏡系統(tǒng)

整合硬件控制面板

自動(dòng)晶圓裝載機(jī)

智能晶圓映射

●寬溫低噪音卡盤

模塊化卡盤

-80°C至180°C的寬溫度范圍

*CDA熱控制技術(shù)，高斜坡率和高T穩(wěn)定性

用于CIS/ALS/光傳感器晶圓測(cè)試的超低噪聲

應(yīng)用：

CIS/ALS/光傳感器晶圓測(cè)試

CIS/ALS/光傳感器晶圓映射和良率檢查

ToF傳感器測(cè)試

激光雷達(dá)傳感器測(cè)試

InGaAs PD測(cè)試

SPAD傳感器測(cè)試

光傳感器模擬參數(shù)測(cè)試：

量子效率

光譜響應(yīng)

系統(tǒng)增益

靈敏度

動(dòng)態(tài)范圍

暗電流/噪聲

信噪比

飽和容量

線性誤差（LE）

DCNU（暗電流非均勻性）

PRNU（光響應(yīng)非均勻性）

系統(tǒng)設(shè)計(jì)：

SG-O CIS / ALS / Light-Sensor測(cè)試儀（晶圓級(jí)）系統(tǒng)圖。高度均勻的光源由PC-1控制。光輸出由光纖引導(dǎo)到光學(xué)均化器以產(chǎn)生均勻的光束。顯微鏡和均質(zhì)器由PC-1的自動(dòng)平移臺(tái)控制，以切換位置和功能。Prober系統(tǒng)為MPI TS2000，由PC-2 控制。卡盤臺(tái)的位置也由PC-2控制。熱卡盤溫度可控制在-55℃至180℃，涵蓋了大部分 IC測(cè)試溫度范圍。光強(qiáng)度由一個(gè)Si 光電探測(cè)器和一個(gè)InGaAs光電探測(cè)器通過皮安電流表檢測(cè)和校準(zhǔn)。

規(guī)格：

高度均勻的光源

光譜范圍：400nm至1700nm

色溫：3000K至5200K

均勻照明面積：42mmx25mm，工作距離>200mm

照度均勻度：優(yōu)于98%

短期光不穩(wěn)定性：≤1%超過1小時(shí)

長期光不穩(wěn)定性：≤1%超過10小時(shí)

DUT與后一個(gè)光學(xué)組件之間的工作距離：≥200mm工作距離

單色光生成：

10nm FWHM 中心波長：420nm,450nm,490nm,510nm,550nm,570nm,620nm,670nm,680nm,710nm,780nm,870nm

25nm FWHM 中心波長：1010nm,1250nm,1450nm

45±5nm FWHM 中心波長：815nm

50nm FWHM 的中心波長：1600nm

60±5nm FWHM 中心波長：650nm

70±5nm FWHM 的中心波長：485nm,555nm

100±5nm FWHM 的中心波長：1600nm

帶外透光率≤0.01%

帶通區(qū)峰值傳輸≥80%

中心波長容差：(a)≤±2nm；(b)~(g)≤±5nm

FWHM容差：(a)≤±2nm；(b)~(g)≤±5nm

可變衰減器：PC控制的3-decade分辨率，至少1000步

半自動(dòng)晶圓探針

晶圓尺寸能力：200mm、150mm、100mm晶圓和尺寸大于1cmx1cm的單芯片

晶圓處理：單晶圓，手動(dòng)進(jìn)料型

半自動(dòng)化：一步手動(dòng)對(duì)準(zhǔn)教和自動(dòng)模步進(jìn)

XYZ 平臺(tái)

卡盤 XY 載物臺(tái)行程：210mmx300mm

卡盤 XY 平臺(tái)分辨率：優(yōu)于0.5um

夾頭 XY 平臺(tái)精度：優(yōu)于2.0um

卡盤 XY 平臺(tái)速度：慢：10微米/秒，快：50毫米/秒

Chuck Z 載物臺(tái)行程：50mm

Chuck Z 平臺(tái)分辨率：0.2um

卡盤 Z 平臺(tái)精度：±2.0um

Theta平臺(tái)

Theta載物臺(tái)行程：±5度運(yùn)動(dòng)范圍

Theta分辨率：優(yōu)于0.01度

Theta精度：0.1度

卡盤

卡盤平整度≤10um

卡盤熱操作：-60°C至200°C

25°C時(shí)的卡盤泄漏：25°C時(shí)在10V偏壓下每個(gè)電壓≤20fA

卡盤剩余電容≤95fF

探針卡

探針卡尺寸：4.5英寸至8英寸長

探針卡座與壓板之間的間隙：≥7.5mm

微型腔室

EMI屏蔽：在 1kHz 至 1MHz 范圍內(nèi)≥30dB

系統(tǒng)交流噪聲：≤ 5mVp -p

微型定位器

顯微鏡

隔振臺(tái)

光譜輻照度計(jì)

光譜范圍：400nm至1600nm

波長分辨率：400nm到1000nm 增加步長<1nm；1000nm到1600nm 增加步長<3.5nm

校準(zhǔn)：NIST可追溯校準(zhǔn)證書

主要表現(xiàn)

SG-O系統(tǒng)的操作軟件。對(duì)于高度均勻光源控制軟件，SG-O提供光源系統(tǒng)控制和光強(qiáng)測(cè)量。提供了各個(gè)光學(xué)組件的 Labview功能調(diào)色板、驅(qū)動(dòng)程序/DLL文件。該軟件控制所述平移臺(tái)以促進(jìn)照射大是在零件的設(shè)備。集成鏈接的整合包括發(fā)送/接收命令，例如芯片步進(jìn)、芯片對(duì)齊/探測(cè)等。