光焱量子科技激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述：光焱量子科技激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng)激光掃描缺陷影像儀，是激光束誘導(dǎo)電流測(cè)試（LBIC）的升級(jí)版，利用波長能量大于半導(dǎo)體能隙大的激光束，照射在半導(dǎo)體后產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)，通過快速的掃描樣品表面，獲得影像分布，可以得到內(nèi)部電流的變化來了解分析各種的缺陷分布，幫助分析樣品制備質(zhì)量以及幫助工藝改進(jìn)。

產(chǎn)品型號(hào)： LSD4

所屬分類：光焱量子效率測(cè)量系統(tǒng)

更新時(shí)間：2023-08-03

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

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詳情介紹

品牌	其他品牌	應(yīng)用領(lǐng)域	醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng) 產(chǎn)品敘述

激光掃描缺陷影像儀，是激光束誘導(dǎo)電流測(cè)試（LBIC）的升級(jí)版，利用波長能量大于半導(dǎo)體能隙大的激光束，照射在半導(dǎo)體后產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)，通過快速的掃描樣品表面，獲得影像分布，可以得到內(nèi)部電流的變化來了解分析各種的缺陷分布，幫助分析樣品制備質(zhì)量以及幫助工藝改進(jìn)。

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng) 規(guī)格

型號(hào)	項(xiàng)目	規(guī)格
1-1	激發(fā)波長	a. 405 ± 5 nm（高可擴(kuò)充至 4 個(gè)雷射） b. 多波長切換設(shè)計(jì) c. 可軟件控制輸出波長
1-2	激光光點(diǎn)	a. TEM00 光斑 b. 單一波長光斑 < 100 um c. 全系列波長 < 200 um
1-3	掃描范圍	a. 掃描面積：10 cm x 10 cm b. 可客制超過 16 cm x 16 cm之掃描范圍
1-4	掃描分辨率	a. 掃描分辨率 - 10 um, ? 20 mm x 20 mm - 50 um, ? 100 mm x 100 mm b. 掃描頻率 - 10 Hz, 25 Hz及 50 Hz - 10 Hz, ? 4,000,000 像素 c. 可由軟件設(shè)定掃描分辨率
1-5	訊號(hào)量測(cè)模塊	a. 16 bit A/D 解析能力 b. S/N 可達(dá)>1000 以上 c. 超低噪聲放大器模塊
1-6	量測(cè)時(shí)間	a. <1 mins (For 20 mm x 20 mm with 50 um resolution) b. <13 mins (For 160 mm x 160 mm with 50 um resolution)
1-7	尺寸	60 cm x 60 cm x 100 cm
1-8	測(cè)量分析軟件	a. 激發(fā)波長切換 b. 雷射功率調(diào)整 c. LBIC 3D 圖示 d. 2D 剖面分析（電深寬度比） e. 光電流回應(yīng)分布分析（搭配長波長激光器） f. 數(shù)據(jù)保存與輸出功能
1-9	計(jì)算機(jī)系統(tǒng)	a. x86 兼容計(jì)算器包含屏幕鍵盤與鼠標(biāo) b. 微軟操作系統(tǒng)
1-10	選購項(xiàng)目1：連續(xù)光雷射	a. 可添加 375 nm/ 450 nm/ 520 nm/ 638 nm/ 650 nm/ 780 nm ± 5 nm b. b. 小功率：50 mW c. TEM00 輸出 d. 功率輸出穩(wěn)定度：<2 %
1-11	選購項(xiàng)目2：外加偏壓功能	a. 可施加偏壓（0~5 V）（可擴(kuò)充更大電壓范圍） b. 軟件控制(選配)

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測(cè)繪系統(tǒng) 特點(diǎn)

● 可掃描光電流在樣品表面的分布圖像
● 可掃描各光電壓在樣品表面的分布圖像
● 可掃描開路電壓與短路電流分布
● 可分析表面臟污。
● 可分析短路區(qū)域分布
● 可辨識(shí)分析隱裂區(qū)域。
● 可分析少數(shù)載子擴(kuò)散長度分布 (選配)
● 可做單波長量子效率 Mapping